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用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜

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本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜，包括底层、磁性层和顶层，所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜，读出层的元素组成为：轻稀土元素12%-18%；重稀土元素：8%-15%；过渡金属元素：68%-80%；写入层的元素组成为：轻稀土元素：7%-17%；重稀土元素：25%-33%；过渡金属元素：50%-68%。由于重稀土元素的饱和磁化强度Ms较小，而轻稀土元素以及过渡金属元素的Ms较大，采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构，在溅射制膜的过程中，调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例，可以获得饱和磁化强度M_s大，磁各向异性常数K_u以及矫顽力H_c都比较高的磁化膜，能满足光磁混合记录介质所需的大的剩余磁化强度和高的热稳定性的要求。

著录项

公开/公告号CN1225729C

专利类型发明授权
公开/公告日2005-11-02

原文格式PDF
申请/专利权人华中科技大学;
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申请/专利号CN03128025.0
发明设计人李佐宜;黄致新;林更琪;李震;
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申请日2003-05-23
分类号G11B5/66;
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人曹葆青
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 08:57:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-07-25

专利权的终止未缴年费专利权终止

专利权的终止未缴年费专利权终止
2005-11-02

授权

授权
2004-01-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-11-05

公开

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外文文献

1. 用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜 [P] . 中国专利： CN1225729C . 2005.11.02
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