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微波等离子体处理装置、等离子体处理方法以及微波发射部件

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摘要

在处理容器(22)的内部，设有装载台(24)，用来装载半导体晶片(W)。微波发生器(76)产生微波，通过平面天线部件(66)导入到处理容器(22)内。平面天线部件(66)具有沿若干圆周排列的若干贯通孔(84)，所述若干圆是非同心圆。平面天线部件径向的等离子体密度分布均匀。

公开/公告号CN1235272C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;大见忠弘;
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申请/专利号CN02802155.X
发明设计人大见忠弘;平山昌树;后藤哲也;
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申请日2002-06-19
分类号H01L21/31(20060101);C23C16/511(20060101);H01L21/3065(20060101);H05H1/46(20060101);
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人陆锦华
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:58:00

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-08-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 授权公告日:20060104 终止日期:20110619 申请日:20020619

专利权的终止
2006-01-04

授权

授权
2004-03-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-12-24

公开

公开

1. 微波等离子体处理装置、等离子体处理方法以及微波发射部件 [P] . 中国专利： CN1235272C . 2006.01.04
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