首页> 中国专利> 用于将至少一种导电流体沉积到基底上的模型和包括这样的模型的装置以及沉积方法

用于将至少一种导电流体沉积到基底上的模型和包括这样的模型的装置以及沉积方法

摘要

本发明涉及用于将导电流体沉积在基底上以在基底(3)上形成导电迹线或接点的模型,其包括用于保持至少一种流体(13)的结构体(11),所述流体(13)为导电性的并且其粘度对来自光源(5)的辐射敏感。保持用结构体(11)包括用于所述导电流体的至少一个储器(17),其底壁(19)在沉积期间与所述基底(3)相对地布置且所述底壁(19)具有使得实现所述导电流体(13)在所述流体(13)经受来自所述光源(5)的辐射(15)时流动(18)到基底(3)上的穿孔(21),其中所述穿孔是根据待沉积在基底(3)上的流体的图案(22)形成的。所述模型(7)进一步包括具有能透过来自所述光源(5)的辐射的图案(30)的光学板(9),光学板(9)在所述图案(30)之外不能透过来自所述光源(5)的辐射,同时所述光学板(9)上的能透过来自所述光源的辐射的图案(30)与将所述保持用结构体的穿孔的图案(22)覆盖的图案对应。

著录项

  • 公开/公告号CN104520109B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 道达尔销售服务公司;

    申请/专利号CN201380034809.X

  • 发明设计人 P.贾弗雷努;B.隆巴德特;

    申请日2013-04-26

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人宋莉

  • 地址 法国皮托

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B41J 2/14 授权公告日:20161102 终止日期:20180426 申请日:20130426

    专利权的终止

  • 2016-11-02

    授权

    授权

  • 2016-11-02

    授权

    授权

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):B41J2/14 申请日:20130426

    实质审查的生效

  • 2015-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):B41J 2/14 申请日:20130426

    实质审查的生效

  • 2015-04-15

    公开

    公开

  • 2015-04-15

    公开

    公开

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