法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-07
授权
授权
2015-05-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H02J 3/00 申请日:20150116
实质审查的生效
2015-04-08
公开
公开
机译: 具有改善的工作电流的PMOS晶体管,包括垂直通道,可变电阻存储器件,包括相同的通道,以及制造PMOS晶体管的方法
机译: 具有改善的漏电流特性的埋线通道阵列晶体管
机译: 薄膜晶体管,一种制造薄膜晶体管的方法和一种具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置,能够通过在有源层中另外形成通道来改善电流特性