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磁致电阻效应元件的制造方法和磁致电阻效应型磁头的制造方法

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一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。

著录项

公开/公告号CN1221042C

专利类型发明授权
公开/公告日2005-09-28

原文格式PDF
申请/专利权人索尼株式会社;
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申请/专利号CN01805332.7
发明设计人石井聪;佐佐木智;
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申请日2001-11-22
分类号H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39;G01R33/09;H01F10/32;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人付建军
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 08:58:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-01-17

专利权的终止未缴年费专利权终止

专利权的终止未缴年费专利权终止
2005-09-28

授权

授权
2003-03-19

公开

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