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非晶硅锗薄膜太阳电池顶电池P型层的制备方法及用途

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本发明公开了一种非晶硅锗薄膜太阳电池顶电池P型层的制备方法及用途。该方法是采用RF‑PECVD沉积制备顶电池的P型层，反应气体为氢气、硅烷、硼烷，沉积时氢气、硅烷与硼烷的气体流量体积比例保持在150～200：1：3～8，其中，硼烷为硼烷体积浓度为0.5%的硼烷氢气混合气体，气压为160～220 Pa，制备温度在100℃以内，腔室内功率密度在300 mW/cm

著录项

公开/公告号CN104393120B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-18

原文格式PDF
申请/专利权人上海空间电源研究所;
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申请/专利号CN201410556353.X
发明设计人杨君坤;刘成;徐正军;段波涛;叶晓军;
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申请日2014-10-20
分类号
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁
地址 200245 上海市闵行区东川路2965号
入库时间 2022-08-23 09:51:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-01-18

授权

授权
2015-04-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/20 申请日:20141020

实质审查的生效
2015-03-04

公开

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