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一种阵列天线辐射场和散射场综合低副瓣快速实现方法

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本发明公开了一种阵列天线辐射场和散射场综合低副瓣快速实现方法，包括：1)确定阵列天线结构参数、电磁工作参数，以及阵面布局参数；2)确定阵列天线初始的稀疏排布方案，得到阵列天线单元稀疏排布矩阵；3)计算阵列天线的辐射场和散射场口面相位差；4)计算阵列天线的辐射方向图函数，并计算此稀疏排布方案下阵列天线辐射场的最大副瓣电平；5)计算阵列天线的散射方向图函数，并计算此稀疏排布方案下阵列天线散射场的最大副瓣电平；6)判断此阵列天线稀疏排布方案下的辐射场和散射场是否同时满足低副瓣要求，直至得到同时实现阵列天线辐射场和散射场低副瓣要求的最优稀疏排布方案。此方法可同时实现阵列天线辐射场和散射场的低副瓣性能。

著录项

公开/公告号CN104182636B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201410419309.4
发明设计人王从思;王伟锋;薛敏;康明魁;王艳;王猛;段宝岩;黄进;王伟;宋立伟;
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申请日2014-08-22
分类号G06F19/00(20110101);H01Q21/00(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人徐文权
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 09:53:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-05

授权

授权
2014-12-31

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 19/00 申请日:20140822

实质审查的生效
2014-12-03

公开

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