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暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线的制备方法

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本发明公开了一种暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线的制备方法，该方法是采用简单的水热法，以乙醇胺与蒸馏水的混合液为溶剂，将Se粉和KBH₄、处理好的铜片水热反应后在惰性气体保护下煅烧，即可在铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线，其直径为0.23～2.14μm、长度17～420μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好，所制备的暴露{111}晶面立方结构Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。

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公开/公告号CN105789350B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-29

原文格式PDF
申请/专利权人陕西师范大学;
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申请/专利号CN201610172580.1
发明设计人杨合情;刘彬;赵桦;裴翠锦;韩果萍;袁煜昆;刘俊芳;王淼;王梦珠;王力;
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申请日2016-03-24
分类号H01L31/0296(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构61201 西安永生专利代理有限责任公司;
代理人高雪霞
地址 710062 陕西省西安市长安南路199号
入库时间 2022-08-23 09:53:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-29

授权

授权
2016-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0296 申请日:20160324

实质审查的生效
2016-07-20

公开

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