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CMOS兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法

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本发明提供一种CMOS兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法。所述麦克风（1000）包括：硅基底（100），其中，CMOS电路容纳在该硅基底上；支撑在硅基底上的第一刚性导电穿孔背板（200），其中在两者之间插有绝缘层（120）；形成在第一背板上方的第二刚性穿孔背板（400），包括CMOS钝化层（400a、400c）以及夹在所述CMOS钝化层之间作为第二背板的电极板的金属层(400b)，其中在第一背板和第二背板的相对的穿孔区域之间设有空气间隙，并且隔离件构成了其边界；设置在第一背板和第二背板之间的顺应性振膜（300），其中，在第一背板下方的硅基底中形成背孔（150）以允许声音通过，以及振膜和第一背板构成第一可变电容器，振膜和第二背板构成第二可变电容器，第一可变电容器和第二可变电容器构成差分电容器。

著录项

公开/公告号CN103563399B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人歌尔股份有限公司;
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申请/专利号CN201180007064.9
发明设计人王喆;
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申请日2011-03-11
分类号H04R19/04(20060101);H04R19/00(20060101);
代理机构11327 北京鸿元知识产权代理有限公司;
代理人林锦辉;陈英俊
地址 261031 山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号
入库时间 2022-08-23 09:57:03

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-26

专利权的转移 IPC(主分类):H04R19/04 登记生效日:20200608 变更前: 变更后: 申请日:20110311

专利申请权、专利权的转移
2017-06-09

授权

授权
2017-06-09

授权

授权
2016-11-02

著录事项变更 IPC(主分类):H04R19/04 变更前: 变更后: 申请日:20110311

著录事项变更
2016-11-02

著录事项变更 IPC(主分类):H04R 19/04 变更前: 变更后: 申请日:20110311

著录事项变更
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H04R19/04 申请日:20110311

实质审查的生效
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H04R 19/04 申请日:20110311

实质审查的生效
2014-02-05

公开

公开
2014-02-05

公开

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