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一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途

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摘要

本发明公开了一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途，包括一维磁光子晶体和磁光材料缺陷层，一维光子晶体由磁光材料A和各向同性介质材料B交替构成，位于结构中间位置的磁光材料C为磁光材料缺陷层。其结构为[A/B]

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/09 授权公告日:20170804 终止日期:20181111 申请日:20141111

专利权的终止
2017-08-04

授权

授权
2017-08-04

授权

授权
2015-04-29

实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/09 申请日:20141111

实质审查的生效
2015-04-29

实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/09 申请日:20141111

实质审查的生效
2015-04-29

实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/09 申请日:20141111

实质审查的生效
2015-04-01

公开

公开
2015-04-01

公开

公开
2015-04-01

公开

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1. 一种具有非互易性特性的缺陷磁光子晶体及用途 [P] . 中国专利： CN104483764B . 2017.08.04
2. 基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构及非互易器件 [P] . 中国专利： CN106681027B . 2020.03.31
3. METHOD OF AMPLIFYING MAGNETOOPTICAL KERR EFFECT BY MEANS OF PHOTON CRYSTAL STRUCTURES, AND PHOTON CRYSTAL WITH AMPLIFIED MAGNETOOPTICAL KERR EFFECT, METHOD OF FABRICATING THE PHOTON CRYSTAL [P] . 韩国专利： KR20130061640A . 2013-06-11

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