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用单个多晶硅层形成浮动栅极存储单元的半导体存储阵列的自对准方法

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摘要

一种形成半导体存储单元的方法，其包括从同一多晶硅层形成浮动栅极及控制栅极。绝缘层、导电层及第二绝缘材料层形成于衬底之上。沟槽形成于所述第二绝缘材料中，其向下延伸到所述导电层且暴露所述导电层。间隔物形成于所述沟槽中，通过在所述沟槽的底部的较小及所界定间隙来隔开，所述间隙暴露所述导电层的一部分。接着借由通过所述间隙执行各向异性蚀刻，而形成通过所述导电层的所述暴露部分的沟槽。所述沟槽填充有第三绝缘材料。所述导电层的所选择部分被移除，从而留下其通过所述第三绝缘材料所隔开的两个区块。

著录项

公开/公告号CN104662647B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-10-13

原文格式PDF
申请/专利权人硅存储技术公司;
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申请/专利号CN201380050874.1
发明设计人 N.杜;V.蒂瓦里;H.V.特兰;X.刘;
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申请日2013-07-31
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人赵华伟
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:01:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-10-13

授权

授权
2015-06-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130731

实质审查的生效
2015-06-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130731

实质审查的生效
2015-05-27

公开

公开
2015-05-27

公开

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