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双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法

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本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法，先通过氮化硅硬掩模线条形成鱼鳍结构，然后进行鱼鳍线顶端切断的光刻和刻蚀工艺，此时需要切断的深度比较大，使得刻蚀有足够的时间和空间去调整刻蚀菜单以平衡各个层次的刻蚀速率，如平坦化层SOC、氮化硅、二氧化硅、硅衬底，从而使得切断处底部形貌更加平坦并最终完成鳍结构形成，避免刻蚀过程中硅凸起和硅锥的产生，以提高器件的电性能。

著录项

公开/公告号CN104157574B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-05

原文格式PDF
申请/专利权人上海集成电路研发中心有限公司;
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申请/专利号CN201410371037.5
发明设计人易春艳;李铭;
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申请日2014-07-31
分类号
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
入库时间 2022-08-23 10:12:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-05

授权

授权
2015-07-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140731

实质审查的生效
2014-11-19

公开

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