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一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法

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摘要

本发明涉及一种优化的在硅衬底上化学气相沉积生长高质量β‑碳化硅薄膜的方法。本方法采用非常低的碳化压力通入大流量丙烷碳化形成高质量的碳化硅缓冲层。然后保持大流量的氢气气氛，以较低速率生长一层薄的β‑碳化硅薄，再加入一个刻蚀过程来降低缺陷和提高晶体质量，最后以高速率生长得到高质量β‑碳化硅薄膜。外延过程中使用纯硅烷和纯丙烷作为生长源，氢气作为载气。外延碳化硅生长源流量和外延生长时间根据外延层结构设定，当外延层厚度较厚时在高速率生长过程中间加入一个短的刻蚀过程。采用本方法可以获得高质量的β‑碳化硅薄膜。本发明方法工艺简单易行、成本低廉，具有重要应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN105140102B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十五研究所;

    申请/专利号CN201510398440.1

  • 发明设计人 赵志飞;李赟;朱志明;

    申请日2015-07-08

  • 分类号H01L21/02(20060101);

  • 代理机构32215 南京君陶专利商标代理有限公司;

  • 代理人沈根水

  • 地址 210016 江苏省南京市中山东路524号

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-15

    授权

    授权

  • 2016-01-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150708

    实质审查的生效

  • 2015-12-09

    公开

    公开

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