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公开/公告号CN105839151B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201610244511.7
发明设计人 陶志华;何为;王守绪;吴金添;
申请日2016-04-19
分类号C25D3/38(20060101);C25D7/04(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人李明光
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:16:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-21
授权
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C25D3/38 申请日:20160419
实质审查的生效
2016-08-10
公开
机译: 电镀铜浴,电镀铜方法以及具有通过使用该镀浴形成的铜膜的电子零件的制造方法
机译: 电镀铜添加剂和电镀铜浴
机译:超声波对非氰化物碱浴电镀铜的影响
机译:在不同硫脲含量的酸性铜-硫酸浴中电镀铜的电抛光行为和微观结构
机译:不同浓度的硫脲在硫酸浴中电镀铜沉积物的退火行为
机译:用于晶片凸点的化学镀镍浴:添加剂的影响
机译:用于微电子应用的有机浸镀浴中的金沉积。
机译:重用铜蚀刻剂在电镀铜箔上合成环保石墨烯
机译:添加剂对含EDTA作为络合剂的无电镀铜浴偏振曲线的影响
机译:电镀槽中的污染物去除。化学镀镍浴再生的实验室评估。第5卷