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一种测量有机半导体异质结物理特性的方法及系统

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本发明公开了一种测量有机半导体异质结物理特性的方法及系统，该系统包括加热系统、真空系统、实验腔体和测量仪表，能够提供E‐7级高真空环境。通过在基底上逐层镀膜，每次镀膜后，在E‐7级高真空环境下进行场发射实验，可以测量不同种类的有机半导体材料形成异质结后的能带变化，进而判断出该组合是否适合光电器件(如有机太阳能电池、有机发光二极管)的制备。此外，这一方法大大节省了测量有机半导体异质结能带弯曲值的成本。

著录项

公开/公告号CN105987662B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-18

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN201510053863.X
发明设计人邢英杰;李帅;
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申请日2015-02-02
分类号
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈美章
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
入库时间 2022-08-23 10:17:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-18

授权

授权
2016-11-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G01B7/16 申请日:20150202

实质审查的生效
2016-11-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 7/16 申请日:20150202

实质审查的生效
2016-10-05

公开

公开
2016-10-05

公开

公开

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