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热处理装置以及具备该热处理装置的热处理系统

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公开了热处理装置以及热处理系统。本发明涉及的热处理系统，其主体由价格相对低廉的金属材料形成，因此节约成本。形成腔室的内部主体由金属材料形成，因此内部主体不会破损，以包围内部主体的形式设置外部主体，因此防止腔室的气体向外部泄露。在形成腔室的内部主体的内部设置有第一加热器而对基板进行加热，因此内部主体的温度相对低于腔室的温度。由此，防止内部主体在高温下被气体腐蚀。在内部主体的内部设置第一加热器而对基板进行加热，因此提高加热性能。在内部主体的外面设置用于加热内部主体的第二加热器以及用于冷却内部主体的冷却管，能够防止气体在内部主体的内表面冷凝，进一步防止内部主体在高温下被气体腐蚀。多个基板载放于晶舟上，多个晶舟装载于腔室中，因此能够一次性处理大量基板，提高生产率。

著录项

公开/公告号CN105556651B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-25

原文格式PDF
申请/专利权人泰拉半导体株式会社;
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申请/专利号CN201380079510.6
发明设计人李炳一;李永浩;许官善;
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申请日2013-09-10
分类号H01L21/67(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11327 北京鸿元知识产权代理有限公司;
代理人姜虎;陈英俊
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 10:18:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-19

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/67 登记生效日:20190329 变更前: 变更后: 申请日:20130910

专利申请权、专利权的转移
2018-09-25

授权

授权
2018-09-25

授权

授权
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20130910

实质审查的生效
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20130910

实质审查的生效
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20130910

实质审查的生效
2016-05-04

公开

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2016-05-04

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2016-05-04

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