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一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管

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摘要

本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；采用的技术方案为：自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅区域，栅区域在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.05‑0.1μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，在左侧沟道凹陷区正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域。

著录项

  • 公开/公告号CN105789282B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201610256739.8

  • 发明设计人 贾护军;杨志辉;马培苗;杨银堂;

    申请日2016-04-22

  • 分类号

  • 代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郭官厚

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:24:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-25

    授权

    授权

  • 2016-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/49 申请日:20160422

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20160422

    实质审查的生效

  • 2016-07-20

    公开

    公开

  • 2016-07-20

    公开

    公开

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