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阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法

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本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3%的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF₂和Y₂O₃或BaF₂和Y₂O₃作为掺杂剂，掺杂量分别为600-1000ppm(at%)和100-300ppm(at%)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。

著录项

公开/公告号CN1306075C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-03-21

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;
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申请/专利号CN200510029744.7
发明设计人严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜;
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申请日2005-09-16
分类号C30B29/32(20060101);C30B11/00(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市定西路1295号
入库时间 2022-08-23 08:59:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/32 授权公告日:20070321 终止日期:20160916 申请日:20050916

专利权的终止
2007-03-21

授权

授权
2007-03-21

授权

授权
2006-06-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-06-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-04-26

公开

公开
2006-04-26

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