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一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法

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本发明提供的是一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法。(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。本发明工艺简单，对设备要求低，所制备的R相TiNi基记忆合金具有相变热滞后小、循环稳定性好、阻尼损耗因子高、响应频率高等优点，可用于制备驱动器、生物医疗器械等。

著录项

公开/公告号CN107475652B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-05

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工程大学;
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申请/专利号CN201710726006.0
发明设计人佟运祥;李莉;周惠敏;李珍;张殿涛;
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申请日2017-08-22
分类号C22F1/10(20060101);C22F1/02(20060101);C22C19/03(20060101);
代理机构
代理人
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
入库时间 2022-08-23 10:27:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-05

授权

授权
2018-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C22F1/10 申请日:20170822

实质审查的生效
2018-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C22F 1/10 申请日:20170822

实质审查的生效
2017-12-15

公开

公开
2017-12-15

公开

公开
2017-12-15

公开

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