法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
授权
授权
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20140310
实质审查的生效
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20140310
实质审查的生效
2014-09-10
公开
公开
2014-09-10
公开
公开
机译: FO-EWLB中形成用于功率/接地平面的嵌入式导电层的半导体器件和方法
机译: fo-EWLB中功率/接地平面的半导体器件和形成嵌入式导电层的方法
机译: FO-EWLB中功率/接地平面的半导体器件和形成嵌入式导电层的方法