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一种沟道孔中沟道层的形成方法

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本发明提供一种沟道孔中沟道层的形成方法，形成多晶硅的沟道层时，多晶硅的沉积工艺中，反应气体为硅烷时，反应炉内的温度范围为480℃‑550℃，压力范围为0.45T‑1T，在该工艺下，采用的温度较低，压力较大，使得反应炉内的气体量增加，进而使得在同一表面上气体密度均匀接近，从而，使得生长厚度均匀，改善器件的性能。

著录项

公开/公告号CN107579071B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-30

原文格式PDF
申请/专利权人长江存储科技有限责任公司;
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申请/专利号CN201710773886.7
发明设计人郁赛华;王家友;吴关平;王秉国;吴俊;蒲浩;李磊;
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申请日2017-08-31
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人党丽
地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 10:31:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-30

授权

授权
2018-02-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11563 申请日:20170831

实质审查的生效
2018-02-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11563 申请日:20170831

实质审查的生效
2018-01-12

公开

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2018-01-12

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2018-01-12

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