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SiC结晶的制造方法以及SiC结晶

摘要

本发明涉及在SiC单晶基片上生长SiC结晶时闭塞中空缺陷的方法和利用该方法制得的结晶,该基片具有CVD法产生的称为微管的中空缺陷;使该基片与将C/Si原子比调整至结晶生长速度为碳原子供给控速的范围内的原料气体接触,使SiC结晶的多层外延生长并积层,使SiC单晶基片的中空缺陷分解到小的伯格斯矢量的位错上,阻碍缺陷延伸到结晶表面。本发明还提供将SiC结晶形成缓冲层,再使用将C/Si之比调整到高于形成缓冲层时的C/Si之比的方向上的原料气体,再积层SiC结晶,制造赋予所需膜质的SiC结晶的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1324168C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 财团法人电力中央研究所;

    申请/专利号CN03806382.4

  • 发明设计人 镰田功穗;土田秀一;

    申请日2003-03-19

  • 分类号C30B29/36(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人胡烨

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-16

    专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20190327 变更前: 变更后: 申请日:20030319

    专利申请权、专利权的转移

  • 2007-07-04

    授权

    授权

  • 2007-07-04

    授权

    授权

  • 2005-09-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-09-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-20

    公开

    公开

  • 2005-07-20

    公开

    公开

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