公开/公告号CN105874588B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN201480071998.2
发明设计人 H·尼米;B·K·柯克帕特里克;
申请日2014-12-31
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵志刚
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 10:33:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-14
授权
授权
2016-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8238 申请日:20141231
实质审查的生效
2016-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20141231
实质审查的生效
2016-08-17
公开
公开
2016-08-17
公开
公开
机译: 具有TiN栅极的高k /金属栅极CMOS晶体管
机译: 具有TiN栅极的高k /金属栅极CMOS晶体管
机译: 具有TiN栅极的高k /金属栅极CMOS晶体管