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用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法

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用UV-激发气体(如氯或氮)预处理于半导体底物上形成的氧氮化物或氧化物层，以改善层表面的状况和增加用于继后的四氮化三硅沉积的核化点的密度。这种预处理显示减少了较薄的四氮化三硅膜(物理厚度低于36，或甚至低于20)的均方根表面糙度，该四氮化三硅薄膜是用化学气相沉积法(CVD)沉积在氧氮化物层上的。

著录项

公开/公告号CN1331199C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-08-08

原文格式PDF
申请/专利权人马特森技术公司;
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申请/专利号CN01808068.5
发明设计人 S·-P·泰;S·利维;Y·Z·胡;J·盖尔皮;
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申请日2001-04-17
分类号H01L21/314(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张元忠;罗才希
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 08:59:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/314 授权公告日:20070808 终止日期:20130417 申请日:20010417

专利权的终止
2007-08-08

授权

授权
2003-08-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-06-11

公开

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