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超大规模集成电路用硅片及其制造方法、应用

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本发明提供一种由切克劳斯基法（Czochralski法，CZ法）所生长的单晶硅棒切割成的超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits，VLSI）用硅片及其制造方法、应用，在通过掺杂氮确保表层无缺陷的同时，实现氧析出物的无害化。硅片制备方法包括：在拉晶炉内使单晶硅棒冷却到1100℃~1150℃，控制冷却速度为0.1℃/分钟~1℃/分钟，使单晶硅棒的氧浓度为5x10

著录项

公开/公告号CN105316767B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-24

原文格式PDF
申请/专利权人上海超硅半导体有限公司;
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申请/专利号CN201510307181.7
发明设计人沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛;
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申请日2015-06-04
分类号
代理机构北京品源专利代理有限公司;
代理人孟金喆
地址 201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号
入库时间 2022-08-23 10:40:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-24

授权

授权
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/02 申请日:20150604

实质审查的生效
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/02 申请日:20150604

实质审查的生效
2017-01-04

著录事项变更 IPC(主分类):C30B33/02 变更前: 变更后: 申请日:20150604

著录事项变更
2017-01-04

著录事项变更 IPC(主分类):C30B 33/02 变更前: 变更后: 申请日:20150604

著录事项变更
2016-02-10

公开

公开
2016-02-10

公开

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