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基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法

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本发明涉及一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法，属于光电探测器领域。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列，然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒，最后利用光刻技术在单根沉积有Pt纳米颗粒的GaN纳米线两端沉积一层金属电极。紫外探测器的光电性能测试结果显示，相比于没有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器，有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器显示出更大的光电流、更高的光响应度、外量子效率、开/关比，以及更快的开光速度和更好的光电流稳定性，具有很好的潜在应用。另外，该器件制造工艺简单、重复性强、工艺可控性强、成本低。

著录项

公开/公告号CN108122999B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院金属研究所;
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申请/专利号CN201611068958.X
发明设计人刘宝丹;张兴来;刘青云;杨文进;李晶;刘鲁生;姜辛;
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申请日2016-11-29
分类号
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-23 10:42:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-22

授权

授权
2018-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20161129

实质审查的生效
2018-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20161129

实质审查的生效
2018-06-05

公开

公开
2018-06-05

公开

公开
2018-06-05

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