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一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法

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本发明公开了一种透明导电薄膜及采用晶界印刷法制备该薄膜的方法，所述导电薄膜包括透明基底和覆盖其上的透明氧化物层，以及在所述透明氧化物层上的晶界处形成的金属网格；所述透明导电薄膜兼具氧化物透明导电薄膜和金属网格透明导电薄膜的优势，具有可挠曲、导电率高、透过率高和制备工艺简单等优势，所述透明导电薄膜的方阻为0.1～200Ω/sq，所述透明导电薄膜的透过率为20‑80％。本发明的制备方法采用晶界印刷法在透明氧化物层的晶界处形成金属网格，制备工艺简单，工艺环保，原料利用率高。

著录项

公开/公告号CN108206070B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院福建物质结构研究所;
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申请/专利号CN201710491081.3
发明设计人林智杰;林锦新;
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申请日2017-06-23
分类号
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘元霞
地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号
入库时间 2022-08-23 10:42:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-29

授权

授权
2018-07-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 5/14 申请日:20170623

实质审查的生效
2018-07-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 5/14 申请日:20170623

实质审查的生效
2018-06-26

公开

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2018-06-26

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2018-06-26

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