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一种避免误读的阻变存储器及制备方法

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本发明公开了一种避免误读的阻变存储器，其结构从下到上依次包括衬底、在所底上形成的阻变介质层以及在阻变介质层上形成的Ag电极层；阻变介质层从下到上依次包括第一锆铪氧膜层、石墨烯氧化物量子点中间层以及第二锆铪氧膜层；还公开了该阻变存储器的制备方法。本发明制备了特定结构的阻变存储器，尤其是将石墨烯氧化物量子点中间层嵌入到阻变材料层的第一锆铪氧膜层和第二锆铪氧膜层之间，这可精确控制导电细丝的生长和破裂来提高器件的均一性，使得最终制备的阻变存储器具有更稳定的阻值变化、更低的功耗、更好的稳定性和均一性，而且制备方法简单，操作性好，易于大规模生产制造，具有广阔的应用前景。

著录项

公开/公告号CN107681049B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-14

原文格式PDF
申请/专利权人河北大学;
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申请/专利号CN201710777096.6
发明设计人闫小兵;张磊;王静娟;李小燕;
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申请日2017-09-01
分类号
代理机构石家庄国域专利商标事务所有限公司;
代理人白利霞
地址 071002 河北省保定市五四东路180号河北大学
入库时间 2022-08-23 10:48:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-14

授权

授权
2018-03-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20170901

实质审查的生效
2018-03-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170901

实质审查的生效
2018-02-09

公开

公开
2018-02-09

公开

公开
2018-02-09

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