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磁阻存储器中的冗余磁性隧道结

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自旋力矩磁性随机存取存储器(MRAM)中的存储器单元在每个存储器单元内包括至少两个磁性隧道结，其中，每个存储器单元只存储信息的单个数据位。即使当存储器单元内的磁性隧道结中的一个有缺陷并且不再正常运行时，与存储器单元耦接的存取电路系统也能够对存储器单元进行读取和写入。可以结合多磁性隧道结存储器单元来使用自参考和参考读取。在一些实施例中，对存储器单元的写入迫使所有磁性隧道结成为已知状态，而在其它实施例中，迫使磁性隧道结的子集处于已知状态。

著录项

公开/公告号CN106575520B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-17

原文格式PDF
申请/专利权人艾沃思宾技术公司;
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申请/专利号CN201580044096.4
发明设计人 D·豪撒梅迪恩;J·斯劳特;
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申请日2015-08-13
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人欧阳帆
地址美国亚利桑那
入库时间 2022-08-23 10:48:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-17

授权

授权
2017-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20150813

实质审查的生效
2017-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20150813

实质审查的生效
2017-04-19

公开

公开
2017-04-19

公开

公开
2017-04-19

公开

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1. 磁阻存储器中的冗余磁性隧道结 [P] . 中国专利： CN106575520B . 2020.01.17
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