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具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件

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一种具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件，包含一基板、一绝缘缓冲层、一外延单元、一第一电极，及一第二电极。该基板具有导电性，包括一第一表面，该绝缘缓冲层设置于该基板的该第一表面，该外延单元设置于该绝缘缓冲层上，该第一电极设置于该外延单元上，该第二电极包括一与该第一电极间隔设置并位于该外延单元上的第一电极部，及自该第一电极部延伸而与该基板的该第一表面相接触的第二电极部，让该第二电极部延伸至该第一表面，使水平式半导体元件的两电极位于基板的两相反面，以减少元件面积的使用。

著录项

公开/公告号CN106981508B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-31

原文格式PDF
申请/专利权人黄智方;
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申请/专利号CN201610458409.7
发明设计人黄智方;郑克勇;杨伟臣;张庭辅;朱柏儒;林建霖;廖雅竹;曾心颖;
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申请日2016-06-22
分类号
代理机构北京泰吉知识产权代理有限公司;
代理人史瞳
地址中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 10:48:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-31

授权

授权
2017-08-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/41 申请日:20160622

实质审查的生效
2017-08-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/41 申请日:20160622

实质审查的生效
2017-07-25

公开

公开
2017-07-25

公开

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2017-07-25

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1. 具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件 [P] . 中国专利： CN106981508B . 2020.01.31
2. 具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件 [P] . 中国专利： CN106981508A . 2017-07-25
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