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用于使用束轮廓反射法于TSV结构中测量性质的设备及方法

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本发明揭示用于测量硅穿孔TSV结构的特性的方法及设备。使用束轮廓反射率BPR工具来移动到具有TSV结构的第一xy位置。然后使用所述BPR工具来通过将z位置调整到用于在所述第一xy位置处获得测量值的第一最优z位置而在所述第一xy位置处获得最优聚焦。经由所述BPR工具，在所述第一xy位置处获得多个入射角的反射率测量值。基于所述反射率测量值而确定所述TSV结构的一或多个膜厚度。还可记录z位置且使用所述z位置来确定此TSV结构以及一或多个邻近xy位置的高度。

著录项

公开/公告号CN109155266B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-27

原文格式PDF
申请/专利权人科磊股份有限公司;
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申请/专利号CN201780028834.5
发明设计人 L·尼古拉德斯;T·古德温;R·谭;李诗芳;
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申请日2017-04-03
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人张世俊
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:53:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-27

授权

授权
2019-04-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20170403

实质审查的生效
2019-04-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20170403

实质审查的生效
2019-01-04

公开

公开
2019-01-04

公开

公开
2019-01-04

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