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一种聚焦离子束修改集成电路的方法及集成电路

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摘要

本发明公开了一种聚焦离子束修改集成电路的方法，包括定位步骤、挖洞步骤、沉积步骤和将集成电路的地线引脚接地的步骤。在定位步骤中，定位地线通孔和电路线通孔的位置；在挖洞步骤和沉积步骤中，在挖地线通孔前，在集成电路的顶层上地线通孔所在区域镀第一金属镀层；挖地线通孔时，在地线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖地线通孔到集成电路内的地线处，并在地线通孔中沉积金属至第一金属镀层；在挖电路线通孔前，在集成电路的顶层上电路线通孔所在区域镀与第一金属镀层导电连接的第二金属镀层；挖电路线通孔时，在电路线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖电路线通孔到集成电路内电路线处。本发明同时公开了一种采用聚焦离子束修改的集成电路。

著录项

  • 公开/公告号CN100397609C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京中星微电子有限公司;

    申请/专利号CN200610089139.3

  • 发明设计人 欧阳浩宇;

    申请日2006-08-04

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/70 授权公告日:20080625 终止日期:20120804 申请日:20060804

    专利权的终止

  • 2008-06-25

    授权

    授权

  • 2007-02-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-03

    公开

    公开

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