公开/公告号CN107591400B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201710550344.3
发明设计人 布兰特·安德森;爱德华·J·诺瓦克;
申请日2017-07-07
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 11:09:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-18
授权
授权
2018-02-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20170707
实质审查的生效
2018-01-16
公开
公开
机译: 具有自对准栅极和鳍片边缘的垂直鳍片场效应晶体管(vertical finFET)的制造
机译: 具有自对准门和鳍片边缘的垂直鳍式场效应晶体管(垂直FINFET)的制造
机译: 具有自对准门和鳍片边缘的垂直鳍式场效应晶体管(垂直FINFET)的制造