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一种Cr-Se共掺杂硫化锌太阳能电池缓冲层薄膜材料的制备方法

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摘要

本发明公开了一种Cr‑Se共掺杂硫化锌太阳能电池缓冲层薄膜材料的制备方法。首先制备深共晶溶剂，然后将锌的金属盐，铬的金属盐和硫代硫酸钠溶解于深共晶溶剂中，然后在基底材料上电沉积制备锌、铬和硫的预制膜，最后将预制膜分别进行硫化和硒化退火形成铬‑硒共掺硫化锌薄膜。本发明制备的共掺铬和硒ZnS薄膜为n型掺杂，掺杂后体系的光学吸收边有明显的红移，载流子浓度相比较纯ZnS高，可以有效的调节其在CIGS太阳能电池的CIGS/ZnS界面处的导带带阶尖峰高度和位置，增加界面处穿越的光生电子数，提高电池的短路电流和开路电压，所得薄膜质量好，表面平整，致密度高，晶粒大小均匀，完全覆盖基底，与基底的附着性好。

著录项

公开/公告号CN109904255B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29

原文格式PDF
申请/专利权人湘潭大学;
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申请/专利号CN201910210407.X
发明设计人杨穗;单锐;钟建新;易捷;李红星;
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申请日2019-03-19
分类号H01L31/0296(20060101);H01L31/18(20060101);C25D3/56(20060101);C25D5/50(20060101);
代理机构43108 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙);
代理人冷玉萍
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2022-08-23 11:15:29

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1. 一种Cr-Se共掺杂硫化锌太阳能电池缓冲层薄膜材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN109904255B . 2020.09.29
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