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金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法

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本发明提供一种金属栅/高K栅介质的制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法包括：对衬底进行预栅工艺处理，然后利用MOCVD或ALD技术淀积Hf基高K栅介质；在淀积的Hf基高K栅介质层上，利用PVD或CVD方法顺序淀积HfN、TaN覆盖层；再利用快速热退火方法对TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构进行高温退火，该TaN/HfN结构和高温过程可以在保证低的EOT(＜1nm)的条件下，获得高的可靠性；接着，利用湿法工艺除去TaN/HfN/Hf基高K栅介质结构中的TaN覆盖层和HfN覆盖层；在已去除掉TaN/HfN覆盖层的Hf基高K栅介质层上制备功函数合适的金属栅电极层，最终形成金属栅功函数可调制、EOT＜1nm、具有高迁移率和高可靠性的金属栅/高K栅介质结构。

著录项

公开/公告号CN100413031C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-08-20

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN200610011368.3
发明设计人康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元;
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申请日2006-02-24
分类号
代理机构北京君尚知识产权代理事务所;
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:01:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20080820 终止日期:20150224 申请日:20060224

专利权的终止
2008-08-20

授权

授权
2006-11-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-09-13

公开

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专利
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外文文献

1. 金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法 [P] . 中国专利： CN100413031C . 2008.08.20
2. 一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法 [P] . 中国专利： CN102280376B . 2013.01.02
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