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一种二维PLZST反铁电光子晶体及制备方法

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本发明属于电光子人工超材料制备技术领域，公开了一种二维PLZST反铁电光子晶体及制备方法，首先制备SSO模板，然后基于SSO模板制备二维PLZST反铁电光子晶体。本发明中的SSO模板采用ICP刻蚀工艺制备，结构参数误差小于10nm，制备的二维PLZST光子晶体的结构参数与理论设计参数之间的误差小于5nm，结构参数与预设值几乎相同，所以光子晶体的实测光学参数更加精确；本发明采用PLZST反铁电薄膜为介质材料，PLZST具有显著的相变特性和电光效应，具体表现为PLZST反铁电材料在电场作用下具有相变点处晶格常数突变和介电常数激变的双重效应，实现了光子带隙宽可调的光子晶体。

著录项

公开/公告号CN111258093B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人湖北民族大学;
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申请/专利号CN202010059461.1
发明设计人易金桥;孙先波;谭建军;黄勇;胡涛;朱黎;
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申请日2020-01-19
分类号G02F1/05(20060101);G02F1/03(20060101);
代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;
代理人杨采良
地址 445000 湖北省恩施土家族苗族自治州学院路39号
入库时间 2022-08-23 11:23:59

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