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一种基于蒙特卡洛模拟辅助控制离子注入时间的方法

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本发明属于离子注入的应用领域，具体为一种基于蒙特卡洛模拟辅助控制离子注入时间的方法。本发明以SRIM为基础，模拟氩离子注入钛酸锶晶体，将每个单位时间作为一个分段，结合反复迭代计算来控制离子注入的时间或剂量等因素精确控制氧空位浓度，得出具有实验意义的控制时间。解决了SRIM模拟不能设置时间参数的问题，通过将时间切分为每一个单位时间，以单位时间连续推进求解，最终得到了一条时间与非晶化层厚度的关系，能辅助实际实验过程中对离子注入剂量的控制。避免了实验中仅仅依靠实验者的经验而决定注入的时间，是一套具有实际实验意义的模拟计算方法。

著录项

公开/公告号CN108517559B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201810184340.2
发明设计人张万里;王放;曾慧中;
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申请日2018-03-07
分类号C30B29/32(20060101);C30B31/22(20060101);G06F30/20(20200101);G06F111/10(20200101);G06F119/12(20200101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:26:59

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