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基于多层氮化硅钝化且包含氧化铝栅极电介质的高电子迁移率晶体管及其制备方法

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摘要

基于多层氮化硅钝化且包含氧化铝栅极电介质的高电子迁移率晶体管及其制备方法，本发明涉及一种高电子迁移率晶体管，它为了解决现有GaN高电子迁移率晶体管由于陷阱效应导致的电流崩塌对器件影响，工作寿命较低的问题。本发明高电子迁移率晶体管由下至上依次为基底，过渡层，缓冲层，半导体i‑GaN层，半导体i‑Al_0.25Ga_0.75N层，i‑GaN帽层，双SiN_x层，Al₂O₃栅极介电层以及顶层厚Si₃N₄层。本发明在AlGaN/GaN上产生了高鲁棒性及高稳定性的界面，且AlGaN表面得到有效的保护，该AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管减少了泄漏电流，提高击穿电压，且具有极高的工作寿命。

著录项

公开/公告号CN111129140B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN201911418784.9
发明设计人王琮;周忠良;
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申请日2019-12-31
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人岳泉清
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 11:30:49

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外文文献

1. 基于多层氮化硅钝化且包含氧化铝栅极电介质的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111129140B . 2021.01.29
2. 基于多层氮化硅钝化且包含氧化铝栅极电介质的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111129140A . 2020-05-08
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