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公开/公告号CN109716309B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201780057208.9
发明设计人 K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;S·K·瑞特南;P·菲利;M·G·米勒;C·S·哈立;R·C·帕迪拉;
申请日2017-08-25
分类号G06F12/0873(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 11:38:01
机译: 具有混合高速缓存的存储器设备和电子系统,包括每个单元具有单个和多个位的静态和动态高速缓存,以及相关方法
机译: 具有混合缓存的存储器设备和电子系统,包括可以基于缓存工作负载或可用性选择性地禁用的静态和动态高速缓存,以及相关方法
机译: 具有混合缓存(包括静态和动态缓存)的内存设备和电子系统及其相关方法
机译:具有单电子和MOSFET混合电路的多值静态随机存取存储器(SRAM)单元
机译:基于动态指令的高速缓冲存储器设计机器学习方法
机译:具有嵌入式存储器应用的具有自参考感应电路的可靠2T2MTJ非易失性静态增益单元STT-MRAM
机译:用于动态变化容差的40nm弹性高速缓冲存储器,具有比特增强内存和运输×91故障率改进的片上诊断结构
机译:用于飞行模拟装置的具有3个自由度的球面并联机构的运动,动态和静态平衡分析(法文)。
机译:静态随机存取存储器物理不可克隆函数中最强单元的陷阱
机译:高读取稳定性和低泄漏高速缓冲存储器单元
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)