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应变硅成长于不同版图特征下的改善方法

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摘要

本发明公开了一种应变硅成长于不同版图特征下的改善方法，在硅衬底的钻石型孔洞刻蚀后,在该孔洞的内表面形成一层单晶硅薄膜。本发明能够有效改善LOD效应。

1. 应变硅成长于不同版图特征下的改善方法 [P] . 中国专利： CN111218715B . 2021.04.13
2. 应变硅成长于不同版图特征下的改善方法 [P] . 中国专利： CN111218715A . 2020-06-02
3. STRESS STRAIN CHARACTERISTIC MEASUREMENT DEVICE UNDER LARGE DEFORMATION REGION OR MULTI-AXIAL STRESS, AND STRESS STRAIN CHARACTERISTIC ANALYSIS DEVICE UNDER LARGE DEFORMATION REGION OR MULTI-AXIAL STRESS [P] . 日本专利： JP2019203765A . 2019-11-28

机译：大变形区或多轴应力下的应力应变特征测量装置及大变形区或多轴应力下的应力应变特征分析装置
4. Electro-pneumatic drive system, has electrically actuatable control valve devices designed different such that switching time of one of valve devices is longer than switching time of another one of valve devices [P] . 德国专利： DE102008024338A1 . 2009-11-26

机译：电-气动驱动系统具有设计成不同的电致动控制阀装置，使得一个阀装置的切换时间长于另一个阀装置的切换时间
5. Method For Improving A Strain Based On In-Silico Analysis [P] . 美国专利： US2009075352A1 . 2009-03-19

机译：基于硅内分析的应变改善方法