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断线热点的光刻友善性设计检查方法

摘要

本发明公开了一种断线热点的光刻友善性设计检查方法,包括:步骤一、进行仿真形成曝光仿真轮廓图形;步骤二、对设计图形按设计线宽进行分类;步骤三、确定各类轮廓图形的线尾过滤区域宽度参量值:步骤31、在轮廓图形的尾部确定多个依次增加的截取横坐标;在各截取横坐标处截取轮廓图形的宽度;步骤32、统计出各类轮廓图形在各截取位置处的宽度最小值并作为截边宽度最小值,作出截边宽度最小值随截取横坐标变化的趋势图;步骤33、从趋势图确定拐点位置对应的横坐标并作为线尾过滤区域宽度参量值;步骤四、按照线尾过滤区域宽度参量值确定线尾过滤区的大小,进行光刻友善性设计检查。本发明能在保证真正断线热点不漏报的前提下减少热点数量,从而提高工作效率。

著录项

  • 公开/公告号CN110658696B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201910938176.4

  • 发明设计人 陈江先;朱忠华;姜立维;魏芳;

    申请日2019-09-30

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:54

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