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用于集成电路（IC）中有源半导体区域的局部温度感测的工艺中端（MOL）金属电阻器温度传感器

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公开了用于集成电路(IC)中有源半导体区域的局部温度感测的工艺中端(MOL)金属电阻器温度传感器。在IC中与有源半导体区域邻近而制造一个或多个金属电阻器以感测在邻近有源半导体区域中的环境温度。金属电阻器的电压将作为金属电阻器的环境温度的函数而变化，可以金属电阻器的电压以测量与金属电阻器邻近的有源半导体层中器件周围的环境温度。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以定位邻接并紧靠半导体器件以更精确地感测半导体器件的环境温度。用于在MOL层中形成接触的相同制造工艺可以用于制造金属电阻器。

著录项

公开/公告号CN109642828B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201780051398.3
发明设计人戈立新;P·奇达姆巴拉姆;杨斌;J·J·林;G·纳拉帕蒂;余波;邓杰;袁骏;S·S·宋;
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申请日2017-07-26
分类号G01K7/18(20060101);H01L23/522(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;张宁
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:39:32

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1. 用于集成电路（IC）中有源半导体区域的局部温度感测的工艺中端（MOL）金属电阻器温度传感器 [P] . 中国专利： CN109642828B . 2021.04.16
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