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硅光子学中的III-V芯片制备和集成

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摘要

通过将III‑V晶片固定到转移晶片来制造复合半导体激光器。去除III‑V晶片的衬底，并且将该III‑V晶片刻蚀成多个芯片，同时将该III‑V晶片固定到转移晶片。将该转移晶片单片化。该转移晶片的一部分用作手柄，用于将芯片键合在硅器件的凹槽中。该芯片用作半导体激光器的增益介质。

1. 硅光子学中的III-V芯片制备和集成 [P] . 中国专利： CN109417266B . 2021.05.07
2. 用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜 [P] . 中国专利： CN108886236B . 2022.02.25
3. III-V chip preparation and integration in silicon photonics [P] . 美国专利： US10312661B2 . 2019-06-04

机译：硅光子学中的III-V芯片制备和集成
4. Fabrication and integration of III-V chips in silicon photonics [P] . 日本专利： JP2019519914A . 2019-07-11

机译：硅光子学中III-V芯片的制造和集成
5. Broadband back mirror for a III-V chip in silicon photonics [P] . 美国专利： US10732349B2 . 2020-08-04

机译：硅光子学中III-V芯片的宽带后视镜