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一种面向化铣演变的激光刻型过程的轨迹规划方法

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本发明公开了一种面向化铣演变的激光刻型过程的轨迹规划方法，属于激光表面制造技术。其技术要点在于，基于两次化铣演变的化铣零件第二次刻蚀三维数模期望点选取；基于化铣演变的第二次激光刻型位置点选取；化铣零件三维数模第一次激光刻型期望点选取；第一次激光刻型位置点选取；面向规则特征的轨迹规划；面向自由曲线特征的轨迹规划。本发明建立了基于化铣演变的变侵蚀比的激光刻型轨迹规划，有效解决了不同侵蚀比条件/不同化铣深度条件下激光刻型轨迹的智能生成问题，可以更好的保证制造精度提升激光刻型效率，使激光刻型制造加工更加智能化。

著录项

公开/公告号CN111736531B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11

原文格式PDF
申请/专利权人北京航空航天大学;北京航空航天大学江西研究院;
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申请/专利号CN202010647432.7
发明设计人刘强;王健;臧辰鑫;孙鹏鹏;
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申请日2020-07-07
分类号G05B19/4099(20060101);
代理机构11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张爽
地址 100191 北京市海淀区学院路37号北京航空航天大学
入库时间 2022-08-23 11:46:05

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1. 一种面向化铣演变的激光刻型过程的轨迹规划方法 [P] . 中国专利： CN111736531B . 2021.05.11
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