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使用存储器器件中的不同感测节点电压的验证操作

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存储器器件中的感测电路在感测过程中能够被预充电至不同的水平以减少用于感测的时间量。例如，在编程操作中，存储器单元处于快编程模式，直到它的阈值电压超过数据状态的偏移验证电压(VO)。偏移验证电压低于数据状态的最终验证电压(VF)。当阈值电压在VO和VF之间时，存储器单元处于慢编程模式。针对一个存储器单元的在VO处的验证测试能够通过将针对该一个存储器单元的感测电路预充电到比针对另一存储器单元的感测电路更高的电压来与针对另一存储器单元的在VF处的验证测试并发执行。能够使用共同的放电时段和跳变条件。

著录项

公开/公告号CN107750381B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人桑迪士克科技有限责任公司;
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申请/专利号CN201680035373.X
发明设计人 A.楚;刘钟鹤;金光虎;黎严隆;F.莫加特;
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申请日2016-06-07
分类号G11C7/12(20060101);G11C11/56(20060101);G11C16/24(20060101);G11C16/26(20060101);G11C16/34(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人王珊珊
地址美国得克萨斯州
入库时间 2022-08-23 11:51:00

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1. 使用存储器器件中的不同感测节点电压的验证操作 [P] . 中国专利： CN107750381B . 2021.05.25
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5. VERIFY OPERATIONS USING DIFFERENT SENSE NODE VOLTAGES IN A MEMORY DEVICE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017044165A1 . 2017-03-16

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