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带外电磁辐射二阶互调低频阻塞效应预测方法及设备

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摘要

本发明适用于电磁环境效应试验评估技术领域，提供了一种带外电磁辐射二阶互调低频阻塞效应预测方法及设备，其中，上述方法包括：获取受试用频设备的电磁辐射敏感带宽和至少四个带外基础频点；根据至少四个带外基础频点进行二阶互调低频阻塞临界干扰效应试验，并根据试验结果确定低频干扰电平相对值和二阶互调低频阻塞干扰因子；根据低频干扰电平相对值和二阶互调低频阻塞干扰因子建立二阶互调低频阻塞干扰效应模型。本发明实施例提供的带外电磁辐射二阶互调低频阻塞效应预测方法及设备，通过试验的方式，确定了模型中两个重要参数，即低频干扰电平相对值和二阶互调低频阻塞干扰因子，实现了对二阶互调干扰的定量评估，适用于各类用频设备。

著录项

公开/公告号CN109547130B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军陆军工程大学;
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申请/专利号CN201811517717.8
发明设计人魏光辉;万浩江;潘晓东;王雅平;卢新福;
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申请日2018-12-12
分类号H04B17/336(20150101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人秦敏华
地址 050000 河北省石家庄市和平西路97号
入库时间 2022-08-23 11:55:49

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