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晶圆表面平整度检测及不完整曝光单元平整度检测补偿方法

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本发明涉及晶圆表面平整度检测及不完整曝光单元平整度检测补偿方法，涉及半导体集成电路制造技术，对于晶圆表面完整的曝光单元及其范围内检测传感器大于等于2的不完整的曝光单元仍然采用“S”形扫描进行平整度检测，而对于边缘的其范围内检测传感器小于2的不完整的曝光单元，旋转以使得光刻机扫描方向与晶圆上一不完整曝光单元与晶边相切的两点之间的连线趋近于垂直，使多于一条的检测传感器落到不完整的曝光单元内，以补偿给光刻机曝光单元，获得整个晶圆面内精确的平整度信息，减少离焦的发生，确保整个晶圆内曝光后的图形质量。

著录项

公开/公告号CN110631518B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
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申请/专利号CN201910908699.4
发明设计人王建涛;
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申请日2019-09-25
分类号G01B11/30(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人张彦敏
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2022-08-23 11:57:48

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