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具有环路分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管

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摘要

一种场效应晶体管(FET)，所述FET具有多个FET单元，所述多个FET单元具有被布置在衬底的表面上的多个源极焊盘、多个漏极焊盘以及多个栅电极；所述FET单元中的每一个FET单元具有所述栅电极的其中一个相应的栅电极，所述相应的栅电极被布置在所述源极焊盘的其中一个源极焊盘与所述漏极焊盘的其中一个漏极焊盘之间。所述FET包括：被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的栅电极的栅极触点；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的漏极焊盘的漏极触点；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的源极焊盘的源极触点。所述FET单元呈环路构型布置。

著录项

公开/公告号CN107924937B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人雷声公司;
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申请/专利号CN201680048556.5
发明设计人 I·罗德里格斯;C·M·莱顿;A·J·别卢尼斯;
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申请日2016-08-09
分类号H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L23/66(20060101);H01L29/812(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人蔡洪贵
地址美国马萨诸塞
入库时间 2022-08-23 11:58:33

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1. 具有环路分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN107924937B . 2021.06.15
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