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一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管及其制作方法

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摘要

本发明属于探测器芯片制造技术领域，涉及一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管；台面型光电二极管从上至下叠次连接的N型台面、吸收台面以及P型台面；每个台面的表面覆盖钝化层；在台面型光电二极管的吸收台面中设置有分级势垒层，分级势垒层从上到下共九层结构；所述N型台面上设置有N电极，所述的P型台面上设置有P电极，P电极与N电极形成共平面电极；本发明通过采用分级势垒结构，降低了台面型光电二极管的表面漏电流和体暗电流，从而提高了台面型光电二极管的可靠性。

著录项

公开/公告号CN110808298B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第四十四研究所;
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申请/专利号CN201911111531.7
发明设计人黄晓峰;张承;王立;唐艳;莫才平;迟殿鑫;崔大健;高新江;
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申请日2019-11-14
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/105(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构50215 重庆辉腾律师事务所;
代理人王海军
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 12:04:49

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