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一种基于磁控溅射的团簇高效制备与尺寸可调的团簇束源系统

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本发明公开了一种基于磁控溅射的团簇高效制备与尺寸可调的团簇束源系统。本发明基于磁控溅射镀膜技术的基础上，通过设计合理长径比的磁控管，引入缓冲气体He形成准富压条件，使得靶材表面被工作气体Ar⁺溅射下来的颗粒物单体(等离子体羽辉)达到(准)热平衡化，并经过充分碰撞反应形成金属‑金属键，生长成团簇新物种；并进一步在载气He的输运条件下，进入质谱检测系统进行团簇质量分析或团簇反应研究等。本发明还可为深入研究特定质量金属团簇的稳定性及其与有机/无机分子气相反应活性提供实验基础，具有重要的应用价值。

著录项

公开/公告号CN110042356B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院化学研究所;
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申请/专利号CN201910413543.9
发明设计人骆智训;黄奔奔;杨梦周;吴海铭;
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申请日2019-05-17
分类号C23C14/35(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人关畅
地址 100080 北京市海淀区中关村北一街2号
入库时间 2022-08-23 12:17:09

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